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AIXTRON SE
Nachrichten
Termine
| Datum | Beschreibung |
|---|---|
| 30.10.2025 | Veröffentlichung Quartalsfinanzbericht (Stichtag Q3) |
| 31.07.2025 | Veröffentlichung Halbjahresfinanzbericht |
| 15.05.2025 | 28. Ordentliche Hauptversammlung der AIXTRON SE |
Unternehmensprofil
Die AIXTRON SE (FWB: AIXA, ISIN DE000A0WMPJ6) ist ein führender Anbieter von Depositionsanlagen für die Halbleiterindustrie.
Das Unternehmen wurde 1983 gegründet und hat seinen Sitz in Herzogenrath (Städteregion Aachen) sowie Niederlassungen und Repräsentanzen in Asien, den USA und in Europa. Die Technologielösungen der Gesellschaft werden weltweit von einem breiten Kundenkreis zur Herstellung von leistungsstarken Bauelementen für elektronische und opto-elektronische Anwendungen auf Basis von Verbindungshalbleitermaterialien genutzt. Diese Bauelemente werden in einer Vielzahl innovativer Anwendungen, Technologien und Industrien eingesetzt. Dazu gehören beispielsweise Laser-, LED-, und Displaytechnologien, Datenübertragung, SiC- und GaN-Energiemanagement und -umwandlung, Kommunikation, Signal und Lichttechnik sowie viele weitere anspruchsvolle High-Tech-Anwendungen.
AIXTRON liefert sowohl Depositionsanlagen für die Volumenfertigung als auch Anlagen für die Forschung und Entwicklung (F&E) und Vorserienproduktion.
Die Nachfrage nach den AIXTRON-Anlagen wird maßgeblich durch Anforderungen an höhere Energieeffizienz, eine weiter steigende Verarbeitungs- und Übertragungsgeschwindigkeit von Daten sowie den Einsatz 3D-Sensorik oder innovativer Displaytechnologien in der Unterhaltungselektronik und der Notwendigkeit zur Kostensenkung bei bestehenden und zukünftigen leistungs- und optoelektronischen Bauelementen beeinflusst. Mit seinen führenden Technologien zur Materialbeschichtung versetzt AIXTRON seine Kunden in die Lage, die Leistungsfähigkeit und die Qualität modernster Bauelemente der Leistungs- und Optoelektronik zu verbessern und die Ausbeute bei der Produktion zu steigern.
Die AIXTRON-Produktpalette umfasst kundenspezifische Anlagen für die Abscheidung komplexer Halbleitermaterialien. Hierbei können Substrate unterschiedlicher Materialien und Größen beschichtet werden. Zur Herstellung von leistungs- und optoelektronischen Komponenten wie beispielsweise LEDs, Lasern, anderen optoelektronischen Bauteilen aus Verbindungshalbleiter-Materialien oder für GaN- und SiC-Leistungselektronik wird u.a. das MOCVD-Verfahren (Metall-Organische Gasphasenabscheidung) angewendet. Zur Herstellung komplexer Kohlenstoff-Nanostrukturen wird das PECVD-Verfahren (Plasmaunterstützte Gasphasenabscheidung) eingesetzt.
Die Wertpapiere der AIXTRON SE sind im Marktsegment Prime Standard an der Frankfurter Wertpapierbörse notiert und in wichtigen Indizes wie dem MDAX enthalten. Weitere Informationen über AIXTRON (FWB: AIXA, ISIN DE000A0WMPJ6) sind im Internet unter www.aixtron.com verfügbar.
Das Unternehmen wurde 1983 gegründet und hat seinen Sitz in Herzogenrath (Städteregion Aachen) sowie Niederlassungen und Repräsentanzen in Asien, den USA und in Europa. Die Technologielösungen der Gesellschaft werden weltweit von einem breiten Kundenkreis zur Herstellung von leistungsstarken Bauelementen für elektronische und opto-elektronische Anwendungen auf Basis von Verbindungshalbleitermaterialien genutzt. Diese Bauelemente werden in einer Vielzahl innovativer Anwendungen, Technologien und Industrien eingesetzt. Dazu gehören beispielsweise Laser-, LED-, und Displaytechnologien, Datenübertragung, SiC- und GaN-Energiemanagement und -umwandlung, Kommunikation, Signal und Lichttechnik sowie viele weitere anspruchsvolle High-Tech-Anwendungen.
AIXTRON liefert sowohl Depositionsanlagen für die Volumenfertigung als auch Anlagen für die Forschung und Entwicklung (F&E) und Vorserienproduktion.
Die Nachfrage nach den AIXTRON-Anlagen wird maßgeblich durch Anforderungen an höhere Energieeffizienz, eine weiter steigende Verarbeitungs- und Übertragungsgeschwindigkeit von Daten sowie den Einsatz 3D-Sensorik oder innovativer Displaytechnologien in der Unterhaltungselektronik und der Notwendigkeit zur Kostensenkung bei bestehenden und zukünftigen leistungs- und optoelektronischen Bauelementen beeinflusst. Mit seinen führenden Technologien zur Materialbeschichtung versetzt AIXTRON seine Kunden in die Lage, die Leistungsfähigkeit und die Qualität modernster Bauelemente der Leistungs- und Optoelektronik zu verbessern und die Ausbeute bei der Produktion zu steigern.
Die AIXTRON-Produktpalette umfasst kundenspezifische Anlagen für die Abscheidung komplexer Halbleitermaterialien. Hierbei können Substrate unterschiedlicher Materialien und Größen beschichtet werden. Zur Herstellung von leistungs- und optoelektronischen Komponenten wie beispielsweise LEDs, Lasern, anderen optoelektronischen Bauteilen aus Verbindungshalbleiter-Materialien oder für GaN- und SiC-Leistungselektronik wird u.a. das MOCVD-Verfahren (Metall-Organische Gasphasenabscheidung) angewendet. Zur Herstellung komplexer Kohlenstoff-Nanostrukturen wird das PECVD-Verfahren (Plasmaunterstützte Gasphasenabscheidung) eingesetzt.
Die Wertpapiere der AIXTRON SE sind im Marktsegment Prime Standard an der Frankfurter Wertpapierbörse notiert und in wichtigen Indizes wie dem MDAX enthalten. Weitere Informationen über AIXTRON (FWB: AIXA, ISIN DE000A0WMPJ6) sind im Internet unter www.aixtron.com verfügbar.
Geschäftsberichte
Quartalsberichte
Dividende
17.05.2011: 0,60 EUR (Jährlich)
Ansprechpartner
Christian Ludwig
Dornkaulstraße 2
52134 Herzogenrath
Deutschland
c.ludwig@aixtron.com
Tel.:+49(2407)9030-444
Fax.:
Dornkaulstraße 2
52134 Herzogenrath
Deutschland
c.ludwig@aixtron.com
Tel.:+49(2407)9030-444
Fax.:
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