AIXTRON SE

News Detail

DGAP-News News vom 15.06.2010

AIXTRON liefert QXP 8300 ALD-Anlage der nächsten Generation nach Korea

AIXTRON AG / Produkteinführung/Vertrag

15.06.2010 09:32

Veröffentlichung einer Corporate News, übermittelt durch die DGAP - ein Unternehmen der EquityStory AG. Für den Inhalt der Mitteilung ist der Emittent / Herausgeber verantwortlich.


AIXTRON liefert QXP 8300 ALD-Anlage der nächsten Generation nach Korea
Aachen, 15. Juni 2010 - Die AIXTRON AG (FWB: AIXA; NASDAQ: AIXG) hat eine QXP 8300 ALD-Anlage an einen großen koreanischen DRAM(1)-Hersteller ausgeliefert. Die Inbetriebnahme der Anlage beim Kunden wird bis zum Ende des zweiten Quartals 2010 erfolgen.

'Die QXP 8300 wird unseren Produktionstechnologien der nächsten Generation enorme Schubkraft verleihen' versichert Dr. Sasangan Ramanathan, technischer Leiter bei AIXTRON Inc. 'Die Bestellung aus Korea ist insofern bemerkenswert, als dass dieser führende Hersteller weithin für seine Fähigkeit bekannt ist, sowohl Technologien nach vorne zu bringen als auch Produktionsgrenzen nach oben zu verschieben. Dass die AIXTRON Anlage im Wettbewerb jetzt die Nase vorn hat, beweist, dass die QXP 8300 in beiden Bereichen den gewünschten Wertbeitrag liefert.'

Die QXP 8300 kombiniert AIXTRONs einzigartige Technologie des Transports von Quellenmaterialien in den Reaktor mit der perfektionierten und patentierten AIXTRON Showerhead-Technologie, die weltweit von einer breiten, stetig wachsenden Kundenbasis eingesetzt wird.
Dr. Bernd Schulte, COO AIXTRON, bewertet die Bestellung 'als den nächsten wichtigen Meilenstein für die QXP 8300 und folglich auch für die steigende Verbreitung unserer ALD-Technologie.'

Das weltweite steigende Interesse an dieser Anlage, insbesondere an der patentgeschützten Technologie des Transports von Quellenmaterialien, zeige, so Dr. Schulte weiter, 'dass die Branche 2010 wieder an Dynamik gewinnt und Kunden ihr Wachstum auf innovative, produktionserprobte und wirtschaftliche Technologie gründen. Dies ist womöglich in keinem anderen Bereich entscheidender als bei der Abscheidung von high-k(2)- und Metallfilmen der nächsten Generation - wir freuen uns, Lösungsanbieter für diese Herausforderung zu sein.'

(1) Dynamic Random Access Memory = Dynamisches RAM, eine Technologie für einen elektronischen Speicherbaustein mit wahlfreiem Zugriff (2) High-k-Schichten = Halbleiterschichten mit höherer dielektrischer Konstante (k)

Weitere Informationen über AIXTRON (FWB: AIXA, ISIN DE000A0WMPJ6; NASDAQ: AIXG, ISIN US0096061041) sind im Internet unter http://www.aixtron.com verfügbar.

Zukunftsgerichtete Aussagen
Diese Mitteilung kann zukunftsgerichtete Aussagen über das Geschäft, die Finanz- und Ertragslage und Gewinnprognosen von AIXTRON im Sinne der 'Safe Harbor'-Bestimmungen des US-amerikanischen Private Securities Litigation Reform Act von 1995 enthalten. Begriffe wie 'können', 'werden', 'erwarten', 'rechnen mit', 'erwägen', 'beabsichtigen', 'planen', 'glauben', 'fortdauern' und 'schätzen', Abwandlungen dieser Begriffe und ähnliche Ausdrücke kennzeichnen diese zukunftsgerichteten Aussagen. Die zukunftsgerichteten Aussagen geben unsere gegenwärtigen Beurteilungen und Annahmen wieder und gelten vorbehaltlich bestehender Risiken und Unsicherheiten. Sie sollten kein unangemessenes Vertrauen in die zukunftsgerichteten Aussagen setzen. Die nachgenannten Faktoren ebenso wie die weiteren in den von AIXTRON bei der U. S. Securities and Exchange Commission eingereichten öffentlichen Berichten und Meldungen genannten gehören zu denjenigen Faktoren, die zur Folge haben können, dass die tatsächlichen und künftigen Ergebnisse und Trends wesentlich von unseren zukunftsgerichteten Aussagen abweichen: Die tatsächlich von AIXTRON erhaltenen Kundenaufträge; der Umfang der Marktnachfrage nach Chemical Vapor Deposition (CVD)-Technologie; der Zeitpunkt der endgültigen Abnahme von Erzeugnissen durch die Kunden; das Finanzmarktklima und die Zugangsmöglichkeiten zu Finanzierungen; die allgemeinen Marktbedingungen für Dünnfilmbeschichtungs-Anlagen und das makroökonomische Umfeld; Stornierungen, Änderungen oder Verzögerungen bei Produktlieferungen; Einschränkungen der Produktionskapazität; lange Verkaufs- und Qualifizierungszyklen; Schwierigkeiten im Produktionsprozess; Veränderungen beim Wachstum der Halbleiterindustrie; Verschärfung des Wettbewerbs; Wechselkursschwankungen; Verfügbarkeit öffentlicher Mittel; Zinsschwankungen bzw. verfügbare Zinskonditionen; Verzögerungen bei der Entwicklung und Vermarktung neuer Produkte; schlechtere allgemeine wirtschaftliche Bedingungen als erwartet und sonstige Faktoren. Die in dieser Mitteilung enthaltenen zukunftsgerichteten Aussagen haben Gültigkeit im Zeitpunkt dieser Mitteilung und AIXTRON übernimmt keine Verpflichtung zur Aktualisierung oder Überprüfung zukunftsgerichteter Aussagen wegen neuer Informationen, künftiger Ereignisse oder aus sonstigen Gründen, ausgenommen bei Bestehen einer entsprechenden rechtlichen Verpflichtung.

Kontakt:
Investor Relations and Corporate Communications
AIXTRON AG, Kaiserstr. 98, 52134 Herzogenrath, Germany Phone: +49 241 8909 444, Fax: +49 241 8909 445, invest@aixtron.com www.aixtron.com




15.06.2010 Ad-hoc-Meldungen, Finanznachrichten und Pressemitteilungen übermittelt durch die DGAP. Medienarchiv unter http://www.dgap-medientreff.de und http://www.dgap.de

 
Sprache:      Deutsch
Unternehmen:  AIXTRON AG
              Kaiserstr. 98
              52134 Herzogenrath
              Deutschland
Telefon:      +49 (241) 8909-444
Fax:          +49 (241) 8909-445
E-Mail:       invest@aixtron.com
Internet:     www.aixtron.com
ISIN:         DE000A0WMPJ6, US0096061041
WKN:          A0WMPJ
Indizes:      TecDAX
Börsen: Regulierter Markt in Frankfurt (Prime Standard); Freiverkehr in Berlin, München, Düsseldorf, Stuttgart; Terminbörse EUREX  
Ende der Mitteilung DGAP News-Service  



Diese Inhalte werden Ihnen präsentiert von unserem Kooperationspartner