Pressemitteilung vom 06.02.2004
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Infineon erweitert in Dresden sein Entwicklungszentrum für Speicherprodukte und schafft 120 neue Arbeitsplätze Dresden – 6. Februar 2004 – Infineon Technologies AG wird am Referenzstandort Dresden sein Entwicklungszentrum für Speicherprodukte (Memory Development Center) erweitern und damit die zentrale Rolle des Standortes für die Entwicklung von Prozesstechnik, insbesondere für DRAM- und Flash-Produkte, weiter stärken und ausbauen. Dafür wird das Unternehmen ein neues Gebäude auf dem Gelände seines Dresdner Werkes errichten, dessen Mittelpunkt ein Reinraum für die Entwicklung bildet. Die Investitionen dafür betragen in den nächsten zwei Jahren insgesamt rund 120 Millionen Euro. Infineon geht derzeit davon aus, dass im laufenden Geschäftsjahr rund 120 Mitarbeiter für die Erweiterung des Entwicklungszentrums neu aufgebaut werden. Die weiteren Kapazitäten des Memory Development Centers werden in einem neuen Gebäudekomplex in unmittelbarer Nähe der bestehenden Halbleiterfertigung von Infineon bis Anfang 2005 errichtet. Der Baubeginn ist für Mitte des Jahres vorgesehen. Im Endausbau bedeutet das eine zusätzliche Reinraumfläche von rund 2.300 Quadratmetern. Zudem werden entsprechende Flächen für die technische Infrastruktur des Reinraums und Büroflächen gebaut. In dem neuen Teil des Entwicklungszentrums werden innovative Speicherkonzepte und Fertigungsprozesse auf 300-mm-Wafern für die Herstellung zukünftiger Speichergenerationen entwickelt. Damit baut Infineon seine Technologie- und Kostenführerschaft im weltweiten Wettbewerb um die nächsten Halbleitergenerationen weiter aus. „Vor allem in Dresden hat Infineon kontinuierlich neue Mitarbeiter eingestellt und hochqualitative und produktive Arbeitsplätze in Deutschland geschaffen. Im letzten Jahr haben wir hier zudem die Technologie-Entwicklungsaktivitäten des Speicherbereiches im Memory Development Center gebündelt“, sagte Dr. Harald Eggers, Leiter des Geschäftsbereichs Speicherprodukte von Infineon Technologies. „Mit der Erweiterung des Entwicklungszentrums gehen wir nun einen Schritt weiter und schaffen die räumlichen Voraussetzungen für die Entwicklung der übernächsten Technologiegenerationen mit 70 Nanometer und darunter und sichern damit unsere führende Wettbewerbsposition in diesem Bereich.“ Technischer Hintergrund zu Fertigungsprozessen Bei der Fertigung eines Speicherchips durchlaufen die Siliziumscheiben ca. 400 bis 500 einzelne Fertigungsschritte. Alle 12 bis 15 Monate wird eine neue Technologie in die Fertigung eingeführt, die die Herstellung kleinerer Strukturen und damit einer höheren Anzahl von Transistoren und Speicherzellen pro Scheibe erlaubt. Diese Entwicklung wird häufig als Mooresches Gesetz bezeichnet: Alle zwei Jahre verdoppelt sich die Anzahl von Transistoren pro Quadratzentimeter Siliziumfläche. Die Herstellung kleinerer Strukturen bei nahezu gleich bleibenden elektrischen Eigenschaften stellt hohe Anforderungen an die Entwicklung der gesamten Prozessabfolge sowie der einzelnen Prozessschritte. Entwicklungszentren erarbeiten Lösungen für die anstehenden Herausforderungen und bringen diese in die Fertigungslandschaft ein. |
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