Infineon Technologies AG
 

Pressemitteilung vom 23.05.2007

Infineon, IBM, Chartered, Samsung und Freescale erweitern Technologieabkommen - Unternehmen arbeiten bei der Entwicklung und Fertigung modernster 32-Nanometer-Halbleitertechnologien zusammen
München / East Fishkill, New York / Singapur / Seoul, Südkorea / Austin, Texas / 23. Mai 2007 – IBM und seine Entwicklungskooperationspartner Infineon Technologies AG und Freescale Semiconductor sowie seine Technologiepartner in der Common Platform™-Allianz, Chartered Semiconductor Manufacturing und Samsung Electronics, haben eine Reihe von Vereinbarungen zur Entwicklung und Fertigung von Halbleiterprozessen getroffen.
 
Die Vereinbarungen der Unternehmen sehen die gemeinsame Entwicklung einer 32-nm-Bulk-CMOS-Prozesstechnologie (Complementary Metal Oxide Semiconductor) und die gemeinsame Entwicklung von Process Design-Kits (PDKs) zur Unterstützung dieser Technologie vor. Aufbauend auf den bisherigen Erfolgen der gemeinsamen Entwicklung und Fertigung von Chips mit Strukturgrößen von 90, 65, und 45 nm werden die Kooperationspartner hochleistungsfähige, energie-effiziente Chips mit Strukturgrößen von 32 nm herstellen können.
 
Die Partner planen ihre Erfahrungen zu bündeln und bis 2010 bei Design, Entwicklung und Produktion innovativer Technologien zusammenarbeiten. Diese Technologien bilden die führende Plattform für ein breites Anwendungsspektrum – von Handheld-Produkten der nächsten Generation bis zu den leistungsfähigsten Supercomputern der Welt – und werden den fünf Partnern sowie anderen Unternehmen die Entwicklung innovativer Systeme erleichtern, mit denen Alltagsprobleme aus Bereichen wie Medizin, Kommunikation, Mobilität und Sicherheit gelöst werden können.
 
Bündelung der Innovationskraft ist der Schlüssel zur Technologieführerschaft
 
„IBM ist nach wie vor davon überzeugt, dass die Bündelung der Innovationskraft in einem offenen Ökosystem von Partnern die Basis für die Technologieführerschaft ist – jetzt und zukünftig“, kommentiert Michael Cadigan, General Manager, Semiconductor Solutions, IBM Global Engineering Solutions. „Die heutige Ankündigung unterstreicht die Bedeutung dieser Strategie indem wir Kundenforderungen nach führenden Technologien erfüllen. Durch die Erweiterung der bestehenden Vereinbarungen auf die 32-nm-Generation – inklusive der Fertigung und IBM-Forschung zur Vervollständigung des seit über zehn Jahren bewährten gemeinsamen Entwicklungsmodells - arbeitet IBM zusammen mit seinen Partnern auch weiterhin an führenden Technologien, die versprechen, unser Leben, unsere Arbeit und unsere Freizeit radikal zu verändern.“
 
„Infineon verfolgt weiterhin seine erfolgreiche Strategie, im Rahmen seiner Allianzen modernste Technologien zu entwickeln und diese mit Partnern zu fertigen“, sagte Dr. Franz Neppl, Senior Vice President, Base Technologies & Services, Infineon Technologies AG. „Auf Basis der gemeinsam entwickelten Technologien in Kombination mit dem Know-how von Infineon im Bereich Applikationen und Produktdesign können wir unseren Kunden, insbesondere in den Segmenten Kommunikation, Industrie- und Automobilelektronik, modernste und kostengünstige System-on-Chip-Lösungen und Produktionstechnologien bieten.“
 
„Sowohl im Bereich der Material-Innovationen als auch bei neuen Bauelemente-Strukturen werden im 32-nm-Knoten beträchtliche neue Herausforderungen erwartet,” sagt Dr. Oh-Hyun Kwon, President, System LSI Division, Semiconductor Business, Samsung Electronics Co., Ltd. “Über die Zusammenarbeit mit unseren Partnern, die als führende Industrieunternehmen eine Vielfalt verschiedener Expertisen einbringen, erwarten wir technologische Durchbrüche zu erzielen.”
 
IBM, Chartered und Samsung als Fertigungspartner der Common Platform-Technologie werden die gemeinsam entwickelte 32-nm-Prozesstechnologie und Design-Kits für die einheitliche Ausrichtung ihrer Produktionsstätten nutzen. Dadurch wird die nötige Flexibilität erreicht, um für ihre jeweiligen OEM-Kunden (Original Equipment Manufacturer) mit Multi-Sourcing-Geschäftsmodell, die einen möglichst frühen Zugang zu modernster Prozesstechnologie erwarten, in ihren Werken praktisch identische Chips in hohen Stückzahlen fertigen zu können.
 
Die fünf Unternehmen werden gemeinsamen an der Bereitstellung marktführender Technologien für hochleistungsfähige Halbleiterprodukte mit geringem Standby-Energieverbrauch arbeiten, wobei sie sich:
  • auf geringe Kosten und minimale Komplexität bei herausragender Leistung konzentrieren,
  • die Einführung neuer Materialien wie “high-k/metal gate”, modernem Stress Engineering und Ultra-Low-k Schichten im Back-end-of-line vorantreiben,
  • Immersionslithografie auf dem neuesten Stand der Technik zur Erzielung wettbewerbsfähiger Packungsdichten und Chipgrößen nutzen,
  • auf hochwertige analoge Modelle für den digitalen Kommunikationsmarkt konzentrieren und
  • eine Plattform für Derivat-Technologien wie Hochfrequenz-CMOS und Embedded DRAM oder eDRAM definieren.
Darüber hinaus soll die Verwendung einheitlicher elektrischer Spezifikationen in der Fertigung aller Partner den Technologietransfer zwischen den Fertigungslinien erleichtern.
 
„Die Branche hat erkannt, wie wichtig und wertvoll Partnerschaftsmodelle bei der Entwicklung robuster, kostengünstiger Lösungen sind“, kommentiert Chia Song Hwee, President und CEO von Chartered. „Mittlerweile arbeiten die Unternehmen im Rahmen dieses Partnerschaftsmodells bereits an der vierten Technologie. Bei der Bereitstellung kundenorientierter Angebote kann jedes Unternehmen seine individuellen Stärken ausspielen und Erfahrungen einbringen. Die Ergebnisse der gemeinsamen Arbeit dienen als Plattform für die Bereitstellung weltweit führender, flexibel verfügbarer Lösungen.“
 
Die 32-nm-Partnerschaft sieht die gemeinsame Entwicklung eines Enablement-Pakets ähnlich den vorherigen Entwicklungen der Allianz vor. Dieses Paket wird die gebräuchlichsten Design-Tools unterstützen, mit denen Kunden das gesamte Potenzial dieser modernen Technologie für eigene Produkte nutzen können.
 
Wie bei den zuvor entwickelten Technologien sollen die Entwicklungsarbeiten für die 32-nm-Fertigungstechnik in der hochmodernen 300-Millimeter-Produktion von IBM in East Fishkill, New York, stattfinden. Freescale hatte seine Teilnahme an der Allianz bereits am 23. Januar 2007 bekannt gegeben.
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