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München und Taoyuen/Taiwan – 2 Juni 2005 – Infineon Technologies AG hat mit der Serienfertigung von DRAMs mit 90-nm-Prozessstrukturen auf 300-mm-Wafern im Halbleiterwerk in Dresden begonnen. Die 90-nm-Technologie wurde gemeinsam mit der Nanya Technology Corporation (NTC) im Dresdner Forschungszentrum von Infineon entwickelt. Erste Speicherprodukte wurden bereits erfolgreich von beiden Unternehmen bei wichtigen Kunden qualifiziert und von Intel validiert. Infineon geht als weltweit zweiter DRAM-Hersteller mit 90-nm-Technologie in Serienproduktion und hatte bereits Ende Mai 2005 etwa fünf Prozent der gesamten DRAM-Kapazitäten von 110 nm auf 90 nm umgestellt. Der Transfer der Technologie zu Inotera Memories, dem in Taiwan ansässigen Fertigungs-Joint Venture von Infineon und Nanya, ist ebenfalls im Gange. Die frühzeitige Einführung der nächsten Technologiegeneration ist einer der wichtigsten Faktoren zur Steigerung der Profitabilität bei der DRAM-Fertigung, weil dadurch die Produktionskosten wesentlich gesenkt und gleichzeitig die Leistungsfähigkeit der Produkte gesteigert werden können.

Die kleineren Chipstrukturen mit 90 nm erhöhen die Anzahl der Chips pro Wafer im Vergleich zur 110-nm-Technologie um mehr als 30 Prozent. Die Produktivitätssteigerung durch die kleineren Chipstrukturen und der Einsatz von 300-mm-Wafern führen zu einer wesentlichen Verringerung der Produktionskosten pro Chip. Die strategische Entwicklungspartnerschaft von Infineon und Nanya umfasst auch den nächsten Technologieschritt mit 70-nm-Strukturen.

„Mit der Qualifizierung hochentwickelter DRAM-Produkte auf Basis der 90-nm-Prozesstechnologie haben wir einen wichtigen Meilenstein auf dem Weg zur Spitzenposition bei Produkten, Technologien und unserer DRAM-Fertigungsproduktivität erreicht“, sagte Dr. Andreas von Zitzewitz, Vorstandsmitglied und Leiter des Geschäftsbereiches Speicherprodukte von Infineon. „Die erfolgreichen Entwicklungsaktivitäten mit Nanya unterstreichen die Effizienz unserer Partnerstrategie und stellen einen Wettbewerbsvorteil innerhalb der äußerst dynamischen DRAM-Industrie dar. Unser Entwicklungsteam arbeitet bereits mit dem gleich hohen Engagement an der Entwicklung von noch kleineren Strukturgrößen für Speicherprodukte.“

„Unsere ersten 90-nm-Produkte unterstreichen die Effektivität und Effizienz des gemeinsamen Entwicklungsprojekts von Nanya und Infineon“, sagte Dr. Jih Lien, Präsident von Nanya Technologies. „Die F&E-Ergebnisse sind viel versprechend. Aber es ist noch höher einzuschätzen, dass Nanya bei 90nm-Produkten in der DRAM-Serienfertigung zu den führenden Unternehmen gehört.”

Bei der Einführung der 90-nm-Prozessstrukturen profitierten die Unternehmen von der Erfahrung von Infineon mit der 193-nm-Lithographie, die schon bei der 110-nm-Technologie eingesetzt wurde. Das Beherrschen der 193-nm-Lithographie ist entscheidend für die Entwicklung kleinerer Prozessstrukturen. Außerdem konnte durch die Einführung des so genannten “checkerboard cell array” eine höhere Speicherkapazität alleine durch die Verwendung herkömmlicher Techniken zur Vergrößerung der Kondensatoroberfläche und ohne den Einsatz von komplexen High-k-Dielektrika erreicht werden.

Neben den damit einhergehenden Kostenvorteilen ist der Übergang auf kleinere Prozessstrukturen die Voraussetzung für schnelle und Strom sparende DDR2- und DDR3-SDRAMs in einer zunehmend mobilen Welt. Nach erfolgreicher Validierung und Kundenqualifikation des ersten Produktes, einem 512-Mbit-DDR-SDRAM, sind Infineon und Nanya die zweiten DRAM-Hersteller mit 90-nm-Prozesstrukturen in Serienproduktion. Das Produkt-Portfolio soll in der zweiten Jahreshälfte 2005 mit einem 512-Mbit-DDR2-SDRAM erweitert werden. Weitere Produkte, darunter auch 256-Mbit-DDR2- und 1-Gbit-DDR2-Speicher sind ebenfalls geplant.